NGTB25N120FLWG, БТИЗ транзистор, 50 А, 2 В, 192 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)

PartNumber: NGTB25N120FLWG
Ном. номер: 8048628628
Производитель: ON Semiconductor
NGTB25N120FLWG, БТИЗ транзистор, 50 А, 2 В ...
Доступно на заказ 98 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
320 × = 320
от 25 шт. — 298 руб.


The NGTB25N120FLWG is an Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and Trench construction, provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suited for UPS and solar applications. Incorporated into the device is a soft and fast co-packaged free-wheeling diode with a low forward voltage.

• Low saturation voltage using Trench with field-stop technology
• Low switching loss - Reduces system power dissipation
• Low gate charge
• Reduces system power dissipation
• Robust circuit performance
• 10µs Short-circuit capability

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные
Код: 2321669

Технические параметры

DC Ток Коллектора
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
Рассеиваемая Мощность
Напряжение Коллектор-Эмиттер
Стиль Корпуса Транзистора
Количество Выводов
Максимальная Рабочая Температура