NIS5112D1R2G, ELECTRONIC FUSE, LATCH-OFF, SOIC-8

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 090 руб.

Мин. кол-во для заказа 3 шт.

от 10 шт. — 610 руб.

от 100 шт. — 575 руб.

Добавить в корзину 3 шт. на сумму 3 270 руб.

Номенклатурный номер: 8427686322

Артикул: NIS5112D1R2G

Полупроводники - Микросхемы\Специальные Функции

Количество Выводов	8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Максимальное Напряжение Питания	18В
Минимальная Рабочая Температура	-40°C
Минимальное Напряжение Питания	9В
Тип Корпуса ИС	SOIC
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 3-168 часов
Функция Микросхемы	Электронный Предохранитель
Вес, г	0.331

pdf, 442 КБ

Мы рекомендуем