NIS5112D2R2G, ELECTRONIC FUSE, AUTO-RETRY, SOIC-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
780 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
670 руб.
от 100 шт. —
594 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 3 120 руб.
Описание
Полупроводники - Микросхемы\Микросхемы Управления Питанием\Контроллеры Горячей Замены
Технические параметры
IC Case / Package | 0 |
Power Switch | 0 |
Квалификация | 0 |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Количество Каналов | 0 |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Максимальное Напряжение Питания | 18В |
Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
Минимальное Напряжение Питания | 9В |
Монтаж Микросхемы | 0 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
Функция Микросхемы | Электронный Предохранитель |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet NIS5112D2R2G
pdf, 410 КБ