NJD35N04G, POWER DARLINGT

PartNumber: NJD35N04G
Ном. номер: 8069347651
Производитель: ON Semiconductor
NJD35N04G, POWER DARLINGT
Доступно на заказ более 90 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
55 × = 1 375
Количество товаров должно быть кратно 25 шт.
от 50 шт. — 50 руб.
от 250 шт. — 28.64 руб.

Описание

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Bipolar Transistors, ON Semiconductor
A wide range of Bipolar Transistors from ON Semiconductor, which includes the following categories:

Bipolar Transistors Cam & Groove Couplings - Polypropylene

Полупроводники / Дискретные компоненты / Транзисторы Дарлингтона /
NJD35N04G, POWER DARLINGTON TRANSIST

Технические параметры

Конфигурация
Single
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.38мм
Максимальное напряжение коллектор-база
700 V
Максимальный запирающий ток коллектора
250µA
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
350 V
Максимальный непрерывный ток коллектора
4 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
45 W
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
DPAK
Число контактов
3
Ширина
6.22mm
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
2 V
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.5 V
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
300
Тип транзистора
NPN
Высота
2.38mm
Длина
6.73mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

NJD35N04G NPN Darlington Power Transistor