NP36P06KDG-E1-AY, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 60 В, 36 А, 0.0231 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

NP36P06KDG-E1-AY, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 60 В, 36 А, 0.0231 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
800 шт., срок 8-10 недель
490 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 10 шт.420 руб.
от 100 шт.345 руб.
Добавить в корзину 6 шт. на сумму 2 940 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8017511118
Артикул: NP36P06KDG-E1-AY
Бренд: Renesas Technology

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Технические параметры

Channel Type P Channel
Drain Source On State Resistance 0.0231Ом
Power Dissipation 56Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 60В
Непрерывный Ток Стока 36А
Полярность Транзистора P Канал
Пороговое Напряжение Vgs 1.6В
Рассеиваемая Мощность 56Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.0231Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-263(D2PAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 290 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.