NP50P06KDG-E1-AY, MOSFET, P -CH, 60V, 50A, TO-263

NP50P06KDG-E1-AY, MOSFET, P -CH, 60V, 50A, TO-263
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
800 шт., срок 8-10 недель
810 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт.690 руб.
от 100 шт.565 руб.
Добавить в корзину 4 шт. на сумму 3 240 руб.
Номенклатурный номер: 8017211236
Артикул: NP50P06KDG-E1-AY
Бренд: Renesas Technology

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Технические параметры

Drain Source On State Resistance 0.0135Ом
Power Dissipation 90Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 60В
Непрерывный Ток Стока 50А
Пороговое Напряжение Vgs 1.6В

Техническая документация

Datasheet
pdf, 288 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.