NP50P06KDG-E1-AY, MOSFET, P -CH, 60V, 50A, TO-263
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
800 шт., срок 8-10 недель
810 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
690 руб.
от 100 шт. —
565 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 3 240 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
Drain Source On State Resistance | 0.0135Ом |
Power Dissipation | 90Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
Непрерывный Ток Стока | 50А |
Пороговое Напряжение Vgs | 1.6В |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 288 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.