Главная › Электронные компоненты › Микросхемы › Прочие микросхемы импортные › ON Semiconductor › NST30010MXV6T1G Dual PNP Transistor, -100 mA ...

NST30010MXV6T1G Dual PNP Transistor, -100 mA, -30 V, 6-Pin SOT-563

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

87 руб.

Кратность заказа 25 шт.

Добавить в корзину 25 шт. на сумму 2 175 руб.

Номенклатурный номер: 8796330060

Артикул: NST30010MXV6T1G

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors

Транзисторы общего назначения PNP, до 1 А, ON Semiconductor

Технические параметры

Maximum Collector Base Voltage	-30 V
Maximum Collector Emitter Voltage	-30 V
Maximum DC Collector Current	-100 mA
Maximum Emitter Base Voltage	-5 V
Maximum Operating Frequency	100 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	661 mW
Minimum DC Current Gain	420
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Package Type	SOT-563
Pin Count	6
Transistor Configuration	Isolated
Transistor Type	PNP
Pd - рассеивание мощности	661 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.55 mm
Длина	1.6 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	270 at 10 uA, 5 V, 420 at 2 mA, 5 V
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.1 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	30 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	0.1 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	100 MHz
Размер фабричной упаковки	4000
Серия	NST30010MXV6
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка / блок	SOT-563-6
Ширина	1.2 mm
Вес, г	6