NSTB1002DXV5T1G, SS SOT55

PartNumber: NSTB1002DXV5T1G
Ном. номер: 8018794306
Производитель: ON Semiconductor
NSTB1002DXV5T1G, SS SOT55
Доступно на заказ более 300 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
14 × = 700
Количество товаров должно быть кратно 50 шт.
от 100 шт. — 9.20 руб.
от 250 шт. — 8.28 руб.

Описание

Dual NPN/PNP Transistors, ON Semiconductor
Dual transistor packages each containing an NPN and a PNP device

Bipolar Transistors, ON Semiconductor
A wide range of Bipolar Transistors from ON Semiconductor, which includes the following categories:

Bipolar Transistors Cam & Groove Couplings - Polypropylene

Полупроводники / Дискретные компоненты / Цифровые транзисторы /
NSTB1002DXV5T1G, SS SOT553 DUL BRT TR

Технические параметры

Конфигурация
Dual
Размеры
1.7 x 1.3 x 0.6мм
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
40 (PNP) V, 50 (NPN) V
Максимальный непрерывный ток коллектора
100 мА (NPN), -200 мА (PNP)
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
500 mW
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
2
Тип корпуса
SOT
Число контактов
5
Типичный входной резистор
47 kΩ
Типичный коэффициент резистора
1
Ширина
1.3mm
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
0.85 V
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.25 V
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100
Тип транзистора
NPN, PNP
Высота
0.6mm
Длина
1.7mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

NSTB1002DXV5T1G Dual Common Base−Collector ...