NSV60600MZ4T1G, PNP Trans. Low Vce(sat) 6

PartNumber: NSV60600MZ4T1G
Ном. номер: 8013393047
Производитель: ON Semiconductor
NSV60600MZ4T1G, PNP Trans. Low Vce(sat) 6
Доступно на заказ более 100 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
34 × = 340
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.
от 20 шт. — 28 руб.
от 100 шт. — 17.80 руб.

Описание

General Purpose PNP Transistors, Over 1A, ON Semiconductor

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Bipolar Transistors, ON Semiconductor
A wide range of Bipolar Transistors from ON Semiconductor, which includes the following categories:

Bipolar Transistors Cam & Groove Couplings - Polypropylene

Полупроводники / Дискретные компоненты / Биполярные транзисторы /
ON Semi NSV60600MZ4T1G PNP Bipolar Transistor, 6 A, 60 V SOT-223

Технические параметры

Размеры
6.7 x 3.7 x 1.65мм
Максимальное напряжение коллектор-база
-100 V dc
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 V
Максимальный пост. ток коллектора
6 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
-6 V
Максимальная рабочая частота
1 МГц
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
800 мВт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
SOT-223
Число контактов
4
Ширина
3.7mm
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
-1 V
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.35 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
70
Тип транзистора
PNP
Высота
1.65mm
Длина
6.7mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

NSS60600MZ4 60V 6A Low Vce(sat) PNP ...