NTLJD3115PT1G, MOSFET Dual P-Ch 20V 4.1A

PartNumber: NTLJD3115PT1G
Ном. номер: 8061013233
Производитель: ON Semiconductor
NTLJD3115PT1G, MOSFET Dual P-Ch 20V 4.1A
Доступно на заказ более 90 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
55 × = 550
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.
от 20 шт. — 37 руб.
от 100 шт. — 30.20 руб.

Описание

Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
ON Semiconductor NTLJD3115PT1G Dual P-channel MOSFET Transistor, 4.1 A, 20 V, 6-Pin WDFN

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
P
Конфигурация
Двойной дренаж, двойной затвор, двойной источник
Размеры
2 x 2 x 0.75мм
Максимальный непрерывный ток стока
4.1 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.2 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
20 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±8 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
2.3 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
2
Тип корпуса
WDFN
Число контактов
6
Типичный заряд затвора при Vgs
5.5 nC @ -4.5 V
Типичная входная емкость при Vds
531 пФ при -10 В
Типичное время задержки выключения
19 нс, 21 нс
Типичное время задержки включения
6 ns
Ширина
2mm
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Высота
0.75mm
Длина
2mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

NTLJD3115P, Power MOSFET −20V, −4.1A ...