NVD5865NLT4G, ON Semi MOSFET, NVD5865NL

PartNumber: NVD5865NLT4G
Ном. номер: 8060077559
Производитель: ON Semiconductor
NVD5865NLT4G, ON Semi MOSFET, NVD5865NL
Доступно на заказ более 80 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
56 × = 1 120
Количество товаров должно быть кратно 20 шт.
от 40 шт. — 51 руб.
от 100 шт. — 30.80 руб.

Описание

N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
ON Semi MOSFET, NVD5865NLT4G

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.38мм
Максимальный непрерывный ток стока
38 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.019 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
60 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
71 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
DPAK
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
29 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
1400 pF @ 25 V
Типичное время задержки выключения
26 нс
Типичное время задержки включения
8.4 нс
Ширина
6.22mm
Материал транзистора
Кремний
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Высота
2.38mm
Длина
6.73mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

ON Semi MOSFET, NVD5865NLT4G, Data Sheet