NXH160T120L2Q2F2SG, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Half Bridge Inverter, 160 А, 2.15 В, 500 Вт, 150 °C, PIM

Фото 1/2 NXH160T120L2Q2F2SG, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Half Bridge Inverter, 160 А, 2.15 В, 500 Вт, 150 °C, PIM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
29 280 руб.
от 5 шт.26 960 руб.
от 10 шт.24 730 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 29 280 руб.
Номенклатурный номер: 8000281775
Артикул: NXH160T120L2Q2F2SG

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 2.15В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 160А
DC Ток Коллектора 160А
Power Dissipation 500Вт
Выводы БТИЗ Solder
Количество Выводов 56вывод(-ов)
Конфигурация БТИЗ PIM Half Bridge Inverter
Максимальная Рабочая Температура 150 C
Максимальная Температура Перехода Tj 150 C
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 2.15В
Полярность Транзистора N Канал
Рассеиваемая Мощность 500Вт
Стиль Корпуса Транзистора PIM
Технология БТИЗ Trench Field Stop
Вес, г 0.1

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов