NXH80B120H2Q0SG, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Half Bridge Inverter, 40 А, 2.2 В, 103 Вт, 150 °C, PIM

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

15 260 руб.

от 5 шт. — 13 940 руб.

от 10 шт. — 13 500 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 15 260 руб.

Номенклатурный номер: 8000247148

Артикул: NXH80B120H2Q0SG

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Collector Emitter Saturation Voltage	2.2В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	40А
DC Ток Коллектора	40А
Power Dissipation	103Вт
Выводы БТИЗ	Solder
Количество Выводов	22вывод(-ов)
Конфигурация БТИЗ	PIM Half Bridge Inverter
Максимальная Рабочая Температура	150 C
Максимальная Температура Перехода Tj	150 C
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	2.2В
Полярность Транзистора	N Канал
Рассеиваемая Мощность	103Вт
Стиль Корпуса Транзистора	PIM
Технология БТИЗ	Trench Field Stop
Вес, г	0.1