PBSS304PX,115, Биполярный транзистор, PNP, -60 В, 130 МГц, 600 мВт, -4.2 А, 295 hFE

PartNumber: PBSS304PX,115
Ном. номер: 8077818707
Производитель: NXP Semiconductor
PBSS304PX,115, Биполярный транзистор, PNP ...
Доступно на заказ 406 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
49 × = 49
от 25 шт. — 45 руб.
от 100 шт. — 32 руб.

Описание

The PBSS304PX, 115 is a 4.2A PNP breakthrough-in small signal (BISS) Transistor in a small and flat-lead surface-mount plastic package. It offers collector pad for good heat transfer.

• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain (hFE) at high IC
• High efficiency due to less heat generation
• Smaller required printed-circuit board (PCB) area than for conventional transistors
• NPN complement is PBSS304NX
• 5L Marking code

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Код: 1757948

Технические параметры

Полярность Транзистора
PNP
Напряжение Коллектор-Эмиттер
-60В
Частота Перехода ft
130МГц
Рассеиваемая Мощность
600мВт
DC Ток Коллектора
-4.2А
DC Усиление Тока hFE
295hFE
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-89
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet PBSS304PX,115