PBSS304PX, Trans GP BJT PNP 60V 4.2A

PartNumber: PBSS304PX
Ном. номер: 8000939546
Производитель: NXP Semiconductor
PBSS304PX, Trans GP BJT PNP 60V 4.2A
Доступно на заказ 60 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
41 × = 820
Количество товаров должно быть кратно 20 шт.
от 40 шт. — 25 руб.

Описание

Low Saturation Voltage PNP Transistors, NXP
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.

Bipolar Transistors, NXP Semiconductors

Bipolar Transistors

Полупроводники / Дискретные компоненты / Биполярные транзисторы /
NXP PBSS304PX PNP Low Saturation Bipolar Transistor, 4.2 A, 60 V, 4-pin UPAK

Технические параметры

конфигурация
Single
размеры
1.6 x 4.6 x 2.6mm
высота
1.6mm
длина
4.6mm
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Maximum DC Collector Current
4.2 A
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
130 MHz
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
2.1 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
UPAK
Pin Count
4
ширина
2.6mm
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.05 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.31 V
Minimum DC Current Gain
60
Transistor Type
PNP

Дополнительная информация

PBSS304PX