PBSS305ND, Trans GP BJT NPN 100V 3A

PartNumber: PBSS305ND
Ном. номер: 8057837554
Производитель: NXP Semiconductor
PBSS305ND, Trans GP BJT NPN 100V 3A
Доступно на заказ более 100 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
32 × = 640
Количество товаров должно быть кратно 20 шт.

Описание

Low Saturation Voltage NPN Transistors, NXP
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.

Bipolar Transistors, NXP Semiconductors

Bipolar Transistors

Полупроводники / Дискретные компоненты / Биполярные транзисторы /
NXP PBSS305ND NPN Low Saturation Bipolar Transistor, 3 A, 100 V, 6-pin TSOP

Технические параметры

конфигурация
Single Quad Collector
размеры
1 x 3.1 x 1.7mm
высота
1mm
длина
3.1mm
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Maximum DC Collector Current
3 A
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
140 MHz
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
2.5 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
TSOP
Pin Count
6
ширина
1.7mm
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.02 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.36 V
Minimum DC Current Gain
25
Transistor Type
NPN

Дополнительная информация

PBSS305ND