PBSS306PZ, Trans GP BJT PNP 100V 4.1

PartNumber: PBSS306PZ
Ном. номер: 8048011716
Производитель: NXP Semiconductor
PBSS306PZ, Trans GP BJT PNP 100V 4.1
Доступно на заказ более 100 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
39 × = 780
Количество товаров должно быть кратно 20 шт.

Описание

Low Saturation Voltage PNP Transistors, NXP
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.

Bipolar Transistors, NXP Semiconductors

Bipolar Transistors

Полупроводники / Дискретные компоненты / Биполярные транзисторы /
NXP PBSS306PZ PNP Low Saturation Bipolar Transistor, 4.1 A, 100 V, 4-pin SC-73

Технические параметры

конфигурация
Single Dual Collector
размеры
1.7 x 6.7 x 3.7mm
высота
1.7mm
длина
6.7mm
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Maximum DC Collector Current
4.1 A
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
2 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
SC-73
Pin Count
4
ширина
3.7mm
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.05 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.325 V
Minimum DC Current Gain
25
Transistor Type
PNP

Дополнительная информация

PBSS306PZ