PBSS4041NT, Transistor GP NPN 60V 3.8

PartNumber: PBSS4041NT
Ном. номер: 8055859220
Производитель: NXP Semiconductor
PBSS4041NT, Transistor GP NPN 60V 3.8
Доступно на заказ более 100 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
34 × = 680
Количество товаров должно быть кратно 20 шт.

Описание

Low Saturation Voltage NPN Transistors, NXP
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.

Bipolar Transistors, NXP Semiconductors

Bipolar Transistors Cam & Groove Couplings - Polypropylene

Полупроводники / Дискретные компоненты / Биполярные транзисторы /
Transistor GP NPN 60V 3.8A SOT23

Технические параметры

Размеры
3 x 1.4 x 1.1мм
Максимальное напряжение коллектор-база
60 V
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 V
Максимальный пост. ток коллектора
3.8 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 V
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
1100 мВт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
SOT-23
Число контактов
3
Ширина
1.4mm
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1.3 V
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
300 mV
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
30
Тип транзистора
NPN
Высота
1.1mm
Длина
3mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

Transistor GP NPN 60V 3.8A SOT23 Data Sheet