PBSS4160DS, Trans GP BJT NPN/NPN 60V

PartNumber: PBSS4160DS
Ном. номер: 8051350449
Производитель: NXP Semiconductor
PBSS4160DS, Trans GP BJT NPN/NPN 60V
Доступно на заказ 60 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
37 × = 740
Количество товаров должно быть кратно 20 шт.
от 40 шт. — 22 руб.

Описание

Low Saturation Voltage NPN Transistors, NXP
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.

Bipolar Transistors, NXP Semiconductors

Bipolar Transistors

Полупроводники / Дискретные компоненты / Биполярные транзисторы /
NXP PBSS4160DS Dual NPN Low Saturation Bipolar Transistor, 1 A, 60 V, 6-pin TSOP

Технические параметры

конфигурация
Dual
размеры
1 x 3.1 x 1.7mm
высота
1mm
длина
3.1mm
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Maximum DC Collector Current
1 A
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
220 MHz
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
700 mW
Minimum Operating Temperature
-65 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
2
тип упаковки
TSOP
Pin Count
6
ширина
1.7mm
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.1 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.25 V
Minimum DC Current Gain
100
Transistor Type
NPN

Дополнительная информация

PBSS4160DS