PBSS4350Z,135, Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 100 МГц, 1.35 Вт, 3 А, 200 hFE

PartNumber: PBSS4350Z,135
Ном. номер: 8000835089
Производитель: NXP Semiconductor
PBSS4350Z,135, Биполярный транзистор, NPN ...
Доступно на заказ 12000 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
10 × = 40 000
Количество товаров должно быть кратно 4000 шт.
от 12000 шт. — 8.70 руб.

Описание

The PBSS4350Z, 135 is a NPN low VCEsat Transistor housed in a surface-mount plastic package. It offers collector pad for good heat transfer.

• Low collector-emitter saturation voltage
• High collector current capabilities of IC and ICM
• High collector current gain (hFE) at high IC
• Higher efficiency leading to less heat generation
• Reduced PCB area requirements compared to DPAK
• PNP complement is PBSS5350Z
• PB4350 Marking code

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Код: 2439536

Технические параметры

Полярность Транзистора
NPN
Напряжение Коллектор-Эмиттер
50В
Частота Перехода ft
100МГц
Рассеиваемая Мощность
1.35Вт
DC Ток Коллектора
DC Усиление Тока hFE
200hFE
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-223
Количество Выводов
4вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet PBSS4350Z,135