PBSS5130QA, Биполярный транзистор, AEC-Q101, PNP, -30 В, 170 МГц, 325 мВт, -1 А, 130 hFE

PartNumber: PBSS5130QA
Ном. номер: 8035958469
Производитель: NXP Semiconductor
PBSS5130QA, Биполярный транзистор, AEC-Q101 ...
Доступно на заказ 3714 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
8 × = 8
от 25 шт. — 7.70 руб.
от 100 шт. — 7.50 руб.

Описание

The PBSS5130QA is a 1A PNP breakthrough-in small signal (BISS) Transistor in a leadless ultra-small surface-mount plastic package with visible and solderable side pads.

• Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain (hFE) at high IC
• High energy efficiency due to less heat generation
• Reduced printed-circuit board (PCB) area requirements
• AEC-Q101 qualified
• NPN complement is PBSS4130QA
• 00 10 10 Marking code

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Код: 2498517

Технические параметры

Полярность Транзистора
PNP
Напряжение Коллектор-Эмиттер
-30В
Частота Перехода ft
170МГц
Рассеиваемая Мощность
325мВт
DC Ток Коллектора
-1А
DC Усиление Тока hFE
130hFE
Стиль Корпуса Транзистора
DFN1010D
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet PBSS5130QA