PBSS5350SS,115, PNP transistor 3A TO92 PB

PartNumber: PBSS5350SS,115
Ном. номер: 8106482072
Производитель: NXP Semiconductor
PBSS5350SS,115, PNP transistor 3A TO92 PB
Доступно на заказ более 100 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
50 × = 500
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.
от 20 шт. — 42 руб.
от 50 шт. — 22.60 руб.

Описание

Low Saturation Voltage PNP Transistors, NXP
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.

Bipolar Transistors, NXP Semiconductors

Bipolar Transistors

Полупроводники / Дискретные компоненты / Биполярные транзисторы /
NXP PBSS5350SS,115 PNP Low Saturation Bipolar Transistor, 3 A, 50 V, 3-pin SPT

Технические параметры

конфигурация
Single
размеры
5.2 x 4.8 x 4.2mm
высота
5.2mm
длина
4.8mm
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Maximum Collector Emitter Voltage
50 V
Maximum DC Collector Current
3 A
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
0.83 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
тип монтажа
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
SPT
Pin Count
3
ширина
4.2mm
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.2 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.3 V
Minimum DC Current Gain
100
Transistor Type
PNP

Дополнительная информация

Datasheet