PBSS5540Z.115, Транзистор PNP 40В 5А 2Вт [ SOT223 ]

Артикул: PBSS5540Z.115
PartNumber: PBSS5540Z,115
Ном. номер: 9000066097
Производитель: NXP Semiconductor
PBSS5540Z.115, Транзистор PNP 40В 5А 2Вт [ SOT223 ]
Доступно на заказ более 80 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
57 × = 570
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.
от 20 шт. — 40 руб.
от 50 шт. — 34.60 руб.

Описание

Low Saturation Voltage PNP Transistors, NXP
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.

Bipolar Transistors, NXP Semiconductors

Bipolar Transistors

Полупроводники / Дискретные компоненты / Биполярные транзисторы /
NXP PBSS5540Z,115 PNP Low Saturation Bipolar Transistor, 5 A, 40 V, 4-pin SC-73

Технические параметры

конфигурация
Single Dual Collector
размеры
1.7 x 6.7 x 3.7mm
высота
1.7mm
длина
6.7mm
Maximum Collector Base Voltage
40 V
Maximum Collector Emitter Voltage
40 V
Maximum DC Collector Current
5 A
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
120 MHz
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
2 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
SC-73
Pin Count
4
ширина
3.7mm
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.3 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.375 V
Minimum DC Current Gain
50
Transistor Type
PNP

Техническая документация

PBSS5540Z
pdf, 144 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
PBSS5540Z 40V low VCEsat PNP transistor Data Sheet