PD57006-E, RF MOSFET N-Ch 65V 1A Pow

PartNumber: PD57006-E
Ном. номер: 8027395303
Производитель: ST Microelectronics
PD57006-E, RF MOSFET N-Ch 65V 1A Pow
Доступно на заказ более 4 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
1 230 × = 1 230
от 10 шт. — 950 руб.
от 20 шт. — 850 руб.

Описание

RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics

RF MOSFET Transistors

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
STMicroelectronics PD57006-E N-channel MOSFET Transistor, 1 A, 65 V, 4-pin PowerSO

Технические параметры

разрешение
RF MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
7.5 x 9.4 x 3.5mm
высота
3.5mm
длина
7.5mm
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Maximum Drain Source Voltage
65 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
максимальная рабочая температура
+165 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
20 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
PowerSO
Pin Count
4
Typical Input Capacitance @ Vds
27 pF@ 28 V
Typical Power Gain
15 dB
ширина
9.4mm
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V

Дополнительная информация

PD57006-E PD57006S-E RF POWER transistor ...