PDTC123JT,215, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, 50 В, 100 мА, 2.2 кОм, 47 кОм, SOT-23

PartNumber: PDTC123JT,215
Ном. номер: 8061349749
Производитель: NXP Semiconductor
PDTC123JT,215, Биполярный цифровой/смещение ...
Доступно на заказ 6000 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
3 × = 9 000
Количество товаров должно быть кратно 3000 шт.
от 6000 шт. — 2.20 руб.

Описание

The PDTC123JT, 215 is a NPN Resistor Equipped Transistor (RET) housed in small surface-mount plastic package. It offers built-in bias resistors and simplifies circuit design. It is designed for use with control of IC inputs, cost-saving alternative for BC847/857 series in digital applications and switching load applications.

• 100mA Output current capability
• Reduces component count
• AEC-Q101 Qualified

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Код: 2319395

Технические параметры

Напряжение Коллектор-Эмиттер
50В
Непрерывный Коллекторный Ток Ic
100мА
Резистор На входе Базы R1
2.2кОм
Резистор База-эмиттер R2
47кОм
Корпус РЧ Транзистора
SOT-23
Количество Выводов
3 Вывода
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet PDTC123JT,215