PESD3V3L1BA, Bi-Direct ESD protect dio

PartNumber: PESD3V3L1BA
Ном. номер: 8082386683
Производитель: NXP Semiconductor
PESD3V3L1BA, Bi-Direct ESD protect dio
Доступно на заказ более 100 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
43 × = 860
Количество товаров должно быть кратно 20 шт.
от 40 шт. — 26 руб.
от 100 шт. — 9.10 руб.

Описание

PESDxxxL1 Series, Low Capacitance Bidirectional ESD Protection Diodes
Low capacitance Bidirectional ElectroStatic Discharge (ESD) protection diodes in small Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages designed to protect one signal line from the damage caused by ESD and other transients.

Transient Voltage Suppressors, NXP

Полупроводники / Дискретные компоненты / TVS диоды (диоды подавления переходных скачков напряжения) /
NXP PESD3V3L1BA Bi-Directional ESD Protection Diode, 500W peak, 2-pin UMD

Технические параметры

размеры
1.8 x 1.35 x 1.05mm
Direction Type
Bi-Directional
электростатическая защита
Yes
высота
1.05mm
длина
1.8mm
Макс. напряжение ограничения
26V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Макс. пиковый импульсный ток
18A
Maximum Reverse Leakage Current
2µA
Maximum Reverse Stand-off Voltage
3.3V
Минимальное пробивное напряжение
5.8V
Minimum Operating Temperature
-65 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
UMD
Пиковое рассеяние мощности в импульсе
500W
Pin Count
2
испытательный ток
5mA
ширина
1.35mm
Diode Configuration
Single

Дополнительная информация

Bi-Direct ESD protect diode, PESDxxL1BA