PM150CVA120, 6 IGBT 1200V 150A 3-gen (V-Series)

Ном. номер: 178564159
Производитель: Mitsubishi
Фото 1/2 PM150CVA120, 6 IGBT 1200V 150A 3-gen (V-Series)
Фото 2/2 PM150CVA120, 6 IGBT 1200V 150A 3-gen (V-Series)
Есть в наличии более 1 шт. Отгрузка со склада в Москве 3 рабочих дня.
Бесплатная доставка по городам Москва, Санкт-Петербург, Краснодар, Нижний Новгород
29 210 × = 29 210
или
купить в 1 клик
от 2 шт. — 25 400 руб.
от 20 шт. — 19 061.88 руб.

Описание

Интеллектуальные силовые IPM модули – улучшенные гибридные силовые приборы, которые сочетают в себе быстродействие и высокий КПД IGBT транзисторов, коптимизированные управляющие драйверы и схемы защиты. Применение улучшенных токовых датчиков в схемах защиты по току и КЗ позволяет проводить непрерывный мониторинг работы устройства, тем самым повышая надежность эксплуатации. В IPM модулях имеет также и защита по температуре и по пониженному напряжению. Высокая степень интеграции IPM позволяет создавать компактные и недорогие изделия.
Сигнальный интерфейс связи с IPM модулем должен иметь гальваническую развязку. Для этого обычно применяют оптроны, хотя возможно и применение оптоволоконной связи или импульсных трансформаторов. Логика управления отрицательная, т.е. активный сигнал на входе равнее 0.

Макс.напр.к-э,В1200
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В2.65
Номинальный ток одиночного тр-ра,А150
Структура модуля3-фазный мост
Тип силового модуляИнтеллектуальный модуль IPM
Максимальная частота модуляции,кГц20
Мощность привода, кВт30
Драйвер управлениявстроенный
Защита по токуесть
Защита от короткого замыканияесть
Защита от перегреваесть
Защита от пониженного напряжения питанияесть
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт710
Максимальный ток эмиттера, А300
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс3300
Напряжение изоляции, В2500
Температурный диапазон,С-20…150
ПроизводительMitsubishi Electric Semiconductor

Техническая документация