PMBFJ112, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 40 В, 5 мА, 3 В, SOT-23

PartNumber: PMBFJ112
Ном. номер: 8063594574
Производитель: NXP Semiconductor
PMBFJ112, ПТ с управляющим p-n-переходом ...
Доступно на заказ 1885 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
23 × = 115
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.

Описание

The PMBFJ112 is a N-channel symmetrical JFET encapsulated in a surface-mount plastic package. It is designed for use with analogue switches, choppers, commutators, multiplexers, thin and thick film hybrids applications.

• High-speed switching
• Interchangeability of drain and source connections
• Low drain-source ON-state resistance at zero gate voltage

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Полевые Транзисторы с Управляющим P-N-переходом (JFET)
Код: 1349667

Технические параметры

Напряжение Пробоя Vbr
40В
Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min)
5мА
Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off)
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-23
Тип Транзистора
JFET
Количество Выводов
3 Вывода
Максимальная Рабочая Температура
150°C

Дополнительная информация

Datasheet PMBFJ112