PMBFJ175,215, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, 7 мА, 70 мА, 6 В

PartNumber: PMBFJ175,215
Ном. номер: 8006750053
Производитель: NXP Semiconductor
PMBFJ175,215, ПТ с управляющим p-n-переходом ...
Доступно на заказ 2843 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
24 × = 24
от 25 шт. — 23 руб.
от 100 шт. — 17 руб.

Описание

The PMBFJ175.215 is a P-channel silicon symmetrical JFET housed in plastic micro miniature envelopes. It is a surface-mount device designed for use with analogue switches, choppers and commutator applications.

• Interchangeability of the drain and source connections

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Полевые Транзисторы с Управляющим P-N-переходом (JFET)
Код: 1758136

Технические параметры

Напряжение Пробоя Vbr
30В
Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min)
7мА
Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max)
70мА
Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off)
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-23
Тип Транзистора
JFET
Количество Выводов
3 Вывода
Максимальная Рабочая Температура
150°C

Дополнительная информация

Datasheet PMBFJ175,215