PMEG2010ET, Schottky barrier rect,20V

PartNumber: PMEG2010ET
Ном. номер: 8017441445
Производитель: NXP Semiconductor
PMEG2010ET, Schottky barrier rect,20V
Доступно на заказ 260 шт. Отгрузка со склада в Москве 4-5 недель.
13 × = 260
Количество товаров должно быть кратно 20 шт.

Описание

Schottky Barrier Diodes, 1A to 1.5A, NXP Semiconductors

High efficiency
Ultra-small, low-profile surface-mount packages
Optimized for Low forward voltage drop and high junction temperature
Low capacitance
Negligible power switching losses
Low leakage current

Diodes and Rectifiers, NXP Semiconductors

Полупроводники / Дискретные компоненты / Выпрямительные диоды и диоды Шоттки /
NXP PMEG2010ET, SMT Schottky Diode, 20V 1A, 3-pin TO-236AB

Технические параметры

размеры
1 x 3 x 1.4mm
Diode Type
Schottky
высота
1mm
длина
3mm
Maximum Continuous Forward Current
1A
максимальная рабочая температура
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-65 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
TO-236AB
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
0.009kA
Peak Reverse Current
0.2mA
Peak Reverse Repetitive Voltage
20V
Pin Count
3
ширина
1.4mm
Diode Configuration
Single

Дополнительная информация

Schottky barrier rect, 20V, PMEG2010ET PMEG2010ET
Schottky barrier rect, 20V, PMEG2010ET