PMFPB8032XP, МОП-транзистор, P Канал + Шоттки, 3 А, 20 В, 0.08 Ом, 4.5 В, -600 мВ

PartNumber: PMFPB8032XP
Ном. номер: 8021554643
Производитель: NXP Semiconductor
PMFPB8032XP, МОП-транзистор, P Канал + ...
Доступно на заказ 2579 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
34 × = 34
от 25 шт. — 26 руб.
от 100 шт. — 23 руб.

Описание

The PMFPB8032XP is a P-channel enhancement-mode small-signal FET using Trench MOSFET technology. It is combined with an ultra-low VF maximum efficiency general application Schottky diode and leadless ultra-thin surface-mount plastic package.

• 1.8V RDS (ON) rated for low-voltage gate drive
• Small and leadless ultra thin SMD plastic package
• Exposed drain pad for excellent thermal conduction
• Integrated ultra low VF MEGA Schottky diode
• -55 to 150°C Junction temperature range

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 2191755

Технические параметры

Полярность Транзистора
P Канал + Шоттки
Непрерывный Ток Стока
Напряжение Истока-стока Vds
20В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.08Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
4.5В
Пороговое Напряжение Vgs
-600мВ
Рассеиваемая Мощность
485мВт
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-1118
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet PMFPB8032XP