PMV213SN,215, MOSFET N-Channel 100V 1.9

PartNumber: PMV213SN,215
Ном. номер: 8065806525
Производитель: NXP Semiconductor
PMV213SN,215, MOSFET N-Channel 100V 1.9
Доступно на заказ более 100 шт. Отгрузка со склада в Москве 4-5 недель.
39 × = 780
Количество товаров должно быть кратно 20 шт.
от 40 шт. — 30 руб.
от 100 шт. — 20.60 руб.

Описание

N-Channel MOSFET, 1A to 9A, NXP Semiconductors

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
NXP PMV213SN,215 N-channel MOSFET Transistor, 1.9 A, 100 V, 3-pin TO-236AB

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
3 x 1.4 x 1mm
высота
1mm
длина
3mm
Maximum Continuous Drain Current
1.9 A
Maximum Drain Source Resistance
0.25 Ω
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
2 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
TO-236AB
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
7 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
330 pF@ 20 V
Typical Turn-Off Delay Time
9.5 ns
Typical Turn-On Delay Time
5.5 ns
ширина
1.4mm
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V

Дополнительная информация

TransMOSFET NCH 100V 1.9A 3P TO236AB TR PMV213SN,215
TransMOSFET NCH 100V 1.9A 3P TO236AB TR