PMV213SN,215, MOSFET N-Channel 100V 1.9

PartNumber: PMV213SN,215
Ном. номер: 8065806525
Производитель: NXP Semiconductor
PMV213SN,215, MOSFET N-Channel 100V 1.9
Доступно на заказ более 100 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
40 × = 800
Количество товаров должно быть кратно 20 шт.
от 40 шт. — 31 руб.
от 100 шт. — 21.40 руб.

Описание

N-Channel MOSFET, 1A to 9A, NXP Semiconductors

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
NXP PMV213SN,215 N-channel MOSFET Transistor, 1.9 A, 100 V, 3-pin TO-236AB

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
3 x 1.4 x 1mm
высота
1mm
длина
3mm
Maximum Continuous Drain Current
1.9 A
Maximum Drain Source Resistance
0.25 Ω
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
2 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
TO-236AB
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
7 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
330 pF@ 20 V
Typical Turn-Off Delay Time
9.5 ns
Typical Turn-On Delay Time
5.5 ns
ширина
1.4mm
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V

Дополнительная информация

TransMOSFET NCH 100V 1.9A 3P TO236AB TR