PSMN020-100YS, МОП-транзистор, N Канал, 43 А, 100 В, 15 мОм, 10 В, 3 В

PartNumber: PSMN020-100YS
Ном. номер: 8052094855
Производитель: NXP Semiconductor
PSMN020-100YS, МОП-транзистор, N Канал, 43 А ...
Доступно на заказ 1249 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
63 × = 63
от 25 шт. — 58 руб.
от 100 шт. — 52 руб.

Описание

The PSMN020-100YS is a N-channel standard level MOSFET with advanced TrenchMOS technology provides low RDS (ON) and low gate charge. It is designed and qualified for use in a wide range of DC-to-DC convertor, lithium-ion battery protection, load switching, server power supplies and domestic equipment applications.

• Improved mechanical and thermal characteristics
• High efficiency gains in switching power converters
• LFPAK provides maximum power density in a power SO8 package
• -55 to 175°C Junction temperature range

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 1785629

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
43А
Напряжение Истока-стока Vds
100В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.015Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность
106Вт
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-669
Количество Выводов
4вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
175°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet PSMN020-100YS