PSMN7R0-100BS, Power MOSFET N-channel 10

PartNumber: PSMN7R0-100BS
Ном. номер: 8052810588
Производитель: NXP Semiconductor
PSMN7R0-100BS, Power MOSFET N-channel 10
Доступно на заказ более 20 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
250 × = 500
Количество товаров должно быть кратно 2 шт.

Описание

N-Channel MOSFET, over 100A, NXP Semiconductors

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
NXP PSMN7R0-100BS N-channel MOSFET Transistor, 100 A, 100 V, 3-pin D2PAK

Технические параметры

разрешение
DC/DC Converter
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
10.3 x 11 x 4.5mm
высота
4.5mm
длина
10.3mm
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Resistance
0.012 Ω
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
269 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
D2PAK
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
125 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
6686 pF@ 50 V
Typical Turn-Off Delay Time
103.9 ns
Typical Turn-On Delay Time
34.6 ns
ширина
11mm
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V

Дополнительная информация

PSMN7R0-100BS, N-channel 100V, 6.8mΩ standard ...