PZT2222AT1G, GP BJT NPN 40V 0.6A, [SOT-223]

Фото 1/8 PZT2222AT1G, GP BJT NPN 40V 0.6A, [SOT-223]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
21 руб.
от 100 шт.17 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 21 руб.
Номенклатурный номер: 2075022574
Артикул: PZT2222AT1G

Описание

The PZT2222AT1G is a NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor designed for use in linear and switching and medium power surface mount applications. The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibility of damage to the die. This transistor is PPAP capable and AEC-Q101 qualified. The SOT-223 package ensures level mounting, resulting in improved thermal conduction and allows visual inspection of soldered joints.

• Halogen-free

Технические параметры

Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 75
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 300
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 1.5
Корпус SOT-223
Вес, г 0.39

Техническая документация

Datasheet
pdf, 107 КБ
Datasheet
pdf, 131 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
PZT2222A
pdf, 132 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов