QS6K1TR, Транзистор: N-MOSFET x2

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3350 шт., срок 7 недель

57 руб.

50 руб.

Кратность заказа 5 шт.

от 50 шт. — 31 руб.

от 150 шт. — 29 руб.

от 500 шт. — 26.16 руб.

Добавить в корзину 5 шт. на сумму 250 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8015779644

Артикул: QS6K1TR

Бренд: Rohm

Массив Mosfet 2, N-канал (двойной), 30 В, 1 А, 1,25 Вт, поверхностный монтаж, TSMT6 (SC-95)

Base Product Number	*K1 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	1A
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
ECCN	EAR99
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.4nC @ 4.5V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	77pF @ 10V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	150В°C (TJ)
Other Related Documents	http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Power - Max	1.25W
Rds On (Max) @ Id, Vgs	238mOhm @ 1A, 4.5V
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Simulation Models	http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
Supplier Device Package	TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 1mA
Количество Выводов	6вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150 C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	4.5В
Напряжение Истока-стока Vds	30В
Непрерывный Ток Стока	1А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	1.5В
Рассеиваемая Мощность	900мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.364Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TSMT
Вес, г	0.1

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем