RD01MUS1-501, Транзистор, 520МГц, 0.8Вт, 7.2В, 14.3dBm, [SOT-89]
![RD01MUS1-501, Транзистор, 520МГц, 0.8Вт, 7.2В, 14.3dBm, [SOT-89]](https://static.chipdip.ru/lib/306/DOC005306883.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
170 руб.
от 20 шт. —
147 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 170 руб.
Посмотреть аналоги1
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.6 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.1 | |
| Корпус | sot-89 | |
| Особенности | 520мгц 1вт | |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Mitsubishi RD01MUS1 Datasheet
pdf, 232 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
