Добавить к сравнению Сравнить ()

RFD16N05LSM9A, МОП-транзистор, N Канал, 16 А, 50 В, 47 мОм, 5 В, 2 В

PartNumber: RFD16N05LSM9A
Ном. номер: 8099306777
Производитель: Fairchild Semiconductor
RFD16N05LSM9A, МОП-транзистор, N Канал, 16 А, 50 В, 47 мОм, 5 В, 2 В
Доступно на заказ 1680 шт. Отгрузка со склада в Москве 2-3 недели.
140 × = 140
от 25 шт. — 107 руб.
от 50 шт. — 83 руб.

Описание

The RFD16N05LSM9A is a N-channel logic level Power MOSFET manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits give optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. It is designed for use with logic level (5V) driving sources in applications such as programmable controllers, switching regulators, switching converters and emitter switches for bipolar transistors. This performance is accomplished through a special gate oxide design which provides full rated conductance at gate biases in the 3 to 5V range, thereby facilitating true on-off power control directly from logic circuit supply voltages. Formerly developmental type TA09871.

• UIS SOA rating curve (single pulse)
• Can be driven directly from CMOS, NMOS and TTL circuits
• SOA is power dissipation limited
• Nanosecond switching speeds
• Linear transfer characteristics
• High input impedance
• Majority carrier device

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
TO-252AA
Рассеиваемая Мощность
60Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
50В
Непрерывный Ток Стока
16А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.047Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs

Дополнительная информация

Datasheet RFD16N05LSM9A