RFD16N05LSM9A, МОП-транзистор, N Канал, 16 А, 50 В, 47 мОм, 5 В, 2 В

PartNumber: RFD16N05LSM9A
Ном. номер: 8099306777
Производитель: Fairchild Semiconductor
RFD16N05LSM9A, МОП-транзистор, N Канал, 16 А ...
Доступно на заказ 2630 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
150 × = 150
от 25 шт. — 116 руб.
от 50 шт. — 90 руб.


The RFD16N05LSM9A is a N-channel logic level Power MOSFET manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits give optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. It is designed for use with logic level (5V) driving sources in applications such as programmable controllers, switching regulators, switching converters and emitter switches for bipolar transistors. This performance is accomplished through a special gate oxide design which provides full rated conductance at gate biases in the 3 to 5V range, thereby facilitating true on-off power control directly from logic circuit supply voltages. Formerly developmental type TA09871.

• UIS SOA rating curve (single pulse)
• Can be driven directly from CMOS, NMOS and TTL circuits
• SOA is power dissipation limited
• Nanosecond switching speeds
• Linear transfer characteristics
• High input impedance
• Majority carrier device

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 2454077

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
Напряжение Истока-стока Vds
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность
Стиль Корпуса Транзистора
Количество Выводов
Максимальная Рабочая Температура
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet RFD16N05LSM9A