RJH60F0DPQ-A0#T0, БТИЗ транзистор, 50 А, 1.7 В, 201.6 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

PartNumber: RJH60F0DPQ-A0#T0
Ном. номер: 8094053609
Производитель: Renesas Technology
RJH60F0DPQ-A0#T0, БТИЗ транзистор, 50 А ...
Доступно на заказ 258 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
250 × = 250
от 10 шт. — 219 руб.
от 100 шт. — 197 руб.

Описание

The RJH60F0DPQ-A0#T0 is a 600V IGBT with high speed power switching and built in fast recovery diode in one package.

• 150°C Junction temperature
• Low collector to emitter saturation voltage
• Trench gate and thin wafer technology
• High speed switching

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные
Код: 2135153

Технические параметры

DC Ток Коллектора
50А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
1.7В
Рассеиваемая Мощность
201.6Вт
Напряжение Коллектор-Эмиттер
600В
Стиль Корпуса Транзистора
TO-247
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C

Дополнительная информация

Datasheet RJH60F0DPQ-A0#T0