RSU002P03T106, Транзистор: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
20 шт. со склада г.Москва
23 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 23 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
30V 200mA 900mΩ@10V,200mA 200mW 2.5V@1mA P Channel SOT-323-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 250 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.4 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Power Dissipation | 200 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-323 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Width | 1.25mm |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
