RTM002P02T2L
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1000 шт., срок 7-9 недель
8 руб.
Мин. кол-во для заказа 47 шт.
Добавить в корзину 47 шт.
на сумму 376 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
МОП-транзистор P-CH 20V 200MA
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 200 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 6 ns |
| Время спада | 6 ns |
| Высота | 0.5 mm |
| Длина | 1.2 mm |
| Другие названия товара № | RTM002P02 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Размер фабричной упаковки | 8000 |
| Серия | RTM002P02 |
| Технология | Si |
| Тип | MOSFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 35 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-723-3 |
| Ширина | 0.8 mm |
| Base Product Number | RTM002 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 200mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | P-Channel |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | SOT-723 |
| Power Dissipation (Max) | 150mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 200mA, 4.5V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | VMT3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 8000 |
| Fall Time | 6 ns |
| Height | 0.5 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 200 mA |
| Length | 1.2 mm |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Product Category | MOSFET |
| Product Type | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2 Ohms |
| Rise Time | 6 ns |
| Series | RTM002P02 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 35 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 9 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 12 V |
| Width | 0.8 mm |
Техническая документация
Datasheet RTM002P02T2L
pdf, 75 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
