RZF030P01TL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
18 шт. со склада г.Москва, срок 10-11 дней
270 руб.
от 2 шт. —
190 руб.
от 10 шт. —
142 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 270 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
MOSFET, P CHANNEL, 12V, 3A, TUMT3, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-3A, Drain Source Voltage Vds:-12V, On Resistance Rds(on):0.028ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V, Threshold Voltage Vgs:-300mV , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
Transistor Polarity | P Channel; Continuous Drain Current Id |
Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
Pd - рассеивание мощности | 800 mW |
Qg - заряд затвора | 18 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 28 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 40 ns |
Время спада | 120 ns |
Высота | 0.77 mm |
Длина | 2 mm |
Другие названия товара № | RZF030P01 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | P-Channel |
Продукт | MOSFET Small Signal |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | RZF030P01 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 P-Channel |
Типичное время задержки выключения | 210 ns |
Типичное время задержки при включении | 9 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-323T-3 |
Ширина | 1.7 mm |
Техническая документация
Datasheet RZF030P01TL
pdf, 1194 КБ
Документация
pdf, 196 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.