RZR040P01TL, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 12 В, 4 А, 0.022 Ом, TSMT, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2757 шт., срок 8-10 недель
99 руб.
Мин. кол-во для заказа 27 шт.
от 100 шт. —
95 руб.
Добавить в корзину 27 шт.
на сумму 2 673 руб.
Альтернативные предложения2
Технические параметры
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 210 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 4 A |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SOT-346T-3 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Part # Aliases | RZR040P01 |
| Pd - Power Dissipation | 1 W |
| Product Category | MOSFET |
| Product Type | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 30 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 30 mOhms |
| Rise Time | 70 ns |
| Series | RZR040P01 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Type | 1 P-Channel MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 380 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 11 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 12 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4.5 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 300 mV |
| Вес, г | 0.73 |
Техническая документация
Datasheet RZR040P01TL
pdf, 2327 КБ
Datasheet RZR040P01TL
pdf, 1610 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
