S29GL01GS10DHI020, Флеш память, NOR, 1 Гбит, 64М x 16бит, Параллельный, FBGA, 64 вывод(-ов)

PartNumber: S29GL01GS10DHI020
Ном. номер: 8093945561
Производитель: Spansion
S29GL01GS10DHI020, Флеш память, NOR, 1 Гбит ...
Доступно на заказ 71 шт. Отгрузка со склада в Москве 2-4 недели.
1 230 × = 1 230
от 10 шт. — 810 руб.


The S29GL01GS10DHI020 is a 1GB GL-S MirrorBit® Eclipse™ Flash Non-Volatile Memory fabricated on 65nm process technology. This device offers a fast page access time as fast as 100ns with a corresponding random access time as fast as 90ns. It features a write buffer that allows a maximum of 256 words/512 bytes to be programmed in one operation, resulting in faster effective programming time than standard programming algorithms. This makes the device ideal for todays eMBedded applications that require higher density, better performance and lower power consumption.

• Lowest address sector protected
• Versatile I/O™ - Wide I/O voltage range of 1.65V to VCC
• Asynchronous 32-byte page read
• Automatic ECC protection applied on each 32-byte page
• Suspend and resume commands for program and erase operations
• Status register, data polling and ready/busy pin methods to determine device status
• Advanced sector protection - Volatile and non-volatile protection methods for each sector
• Common flash interface parameter table
• 100000 Erase cycles for any sector typical
• 20 Years data retention typical

Полупроводники - Микросхемы\Память
Код: 1972436

Технические параметры

Размер Памяти
Конфигурация Флэш-памяти
64М x 16бит
Тип Интерфейса ИС
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти
Количество Выводов
Время Доступа
Минимальное Напряжение Питания
Максимальное Напряжение Питания
Минимальная Рабочая Температура
Максимальная Рабочая Температура
Линия Продукции
3V Parallel NOR Flash Memories
Тип Памяти
Флэш - ИЛИ-НЕ

Дополнительная информация

Datasheet S29GL01GS10DHI020