SGB10N60A, Transistor IGBT N-Ch 600V

PartNumber: SGB10N60A
Ном. номер: 8069888032
Производитель: Infineon Technologies
SGB10N60A, Transistor IGBT N-Ch 600V
Доступно на заказ более 20 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
230 × = 1 150
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 10 шт. — 190 руб.
от 20 шт. — 156.50 руб.

Описание

IGBT Discretes, Infineon

IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT транзисторы /
Infineon SGB10N60A N-channel IGBT Transistor, 21 A 600 V, 3-pin TO-263

Технические параметры

Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
10.25 x 9.9 x 4.4mm
высота
4.4mm
длина
10.25mm
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Continuous Collector Current
21 A
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Surface Mount
тип упаковки
TO-263
Pin Count
3
ширина
9.9mm

Дополнительная информация

Datasheet