SGW25N120FKSA1, Транзистор IGBT, NPT, 1200В, 25А [PG-TO-247-3]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 360 руб.
от 15 шт. —
1 310 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 360 руб.
Описание
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 46 А, 313 Вт
Технические параметры
Технология/семейство | NPT | |
Наличие встроенного диода | Нет | |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 | |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 46 | |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 84 | |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 3.6 | |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 313 | |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 45 | |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 730 | |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 | |
Корпус | PG-TO247-3 | |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 340 КБ
IGBT транзисторы Infineon
pdf, 234 КБ
SGW25N120
pdf, 384 КБ
Datasheet SGW25N120
pdf, 332 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают