Добавить к сравнению Сравнить ()

SI1013R-T1-GE3, МОП-транзистор, P Канал, -350 мА, -20 В, 0.8 Ом, -1.8 В, -450 мВ

PartNumber: SI1013R-T1-GE3
Ном. номер: 8029919251
Производитель: Vishay
SI1013R-T1-GE3, МОП-транзистор, P Канал, -350 мА, -20 В, 0.8 Ом, -1.8 В, -450 мВ
Доступно на заказ 1443 шт. Отгрузка со склада в Москве 2-3 недели.
30 × = 30
от 25 шт. — 28 руб.
от 100 шт. — 22 руб.

Описание

The SI1013R-T1-GE3 is a 1.8VGS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for relays, solenoids, lamps, hammers, displays and memories drivers.

• 2000V Gate-source ESD protected
• High-side switching
• Low ON-resistance
• Low threshold
• 14ns Fast switching speed
• Halogen-free
• Ease in driving switches
• Low offset voltage
• Low-voltage operation
• High-speed circuits
• Low battery voltage operation

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-416
Рассеиваемая Мощность
150мВт
Полярность Транзистора
P Канал
Напряжение Истока-стока Vds
-20В
Непрерывный Ток Стока
-350мА
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.8Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
-1.8В
Пороговое Напряжение Vgs
-450мВ