SI1026X-T1-GE3, MOSFET N-Ch 60V 305mA 1.4

PartNumber: SI1026X-T1-GE3
Ном. номер: 8003630363
Производитель: Vishay
SI1026X-T1-GE3, MOSFET N-Ch 60V 305mA 1.4
Доступно на заказ более 100 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
40 × = 400
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.
от 50 шт. — 25 руб.
от 250 шт. — 16.64 руб.

Описание

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
Vishay SI1026X-T1-GE3 Dual N-channel MOSFET Transistor, 0.3 A, 60 V, 6-Pin SC-89

Технические параметры

Категория
Драйвер МОП-транзистора
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Dual
Размеры
1.7 x 1.7 x 0.6мм
Максимальный непрерывный ток стока
0.3 A
Максимальное сопротивление сток-исток
2.5 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
60 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
0.25 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
2
Тип корпуса
SC-89
Число контактов
6
Типичный заряд затвора при Vgs
600 нКл при 4.5 В
Типичная входная емкость при Vds
30 пФ при 25 В
Типичное время задержки выключения
20 ns
Типичное время задержки включения
15 ns
Ширина
1.7mm
Материал транзистора
Si
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Высота
0.6mm
Длина
1.7mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

Si1026X, N-Channel 60V (Drain-Source) MOSFET ...