SI1471DH-T1-GE3, MOSFET P-Channel 30V 2.8A

PartNumber: SI1471DH-T1-GE3
Ном. номер: 8106626522
Производитель: Vishay
SI1471DH-T1-GE3, MOSFET P-Channel 30V 2.8A
Доступно на заказ более 100 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
42 × = 420
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.
от 100 шт. — 24 руб.
от 200 шт. — 19.75 руб.

Описание

P-Channel MOSFET, up to 3A, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
Vishay SI1471DH-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor, 2.8 A, 30 V, 6-pin SC-70

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
конфигурация
Quad Drain, Single
размеры
2 x 1.25 x 1mm
высота
1mm
длина
2mm
Maximum Continuous Drain Current
2.8 A
Maximum Drain Source Resistance
0.1 Ω
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
1.5 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
SC-70
Pin Count
6
Typical Gate Charge @ Vgs
6.5 nC@ 4.5 V
Typical Input Capacitance @ Vds
445 pF@ 15 V
Typical Turn-Off Delay Time
20 ns, 23 ns
Typical Turn-On Delay Time
4 ns, 22 ns
ширина
1.25mm
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V

Дополнительная информация

Trans MOSFET P-CH 30V 1.6A 6-Pin SC-70