SI2309CDS-T1-GE3, МОП-транзистор, P Канал, -1.6 А, -60 В, 285 мОм, -10 В, -1 В

PartNumber: SI2309CDS-T1-GE3
Ном. номер: 8069816872
Производитель: Vishay
SI2309CDS-T1-GE3, МОП-транзистор, P Канал ...
Доступно на заказ 13544 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
34 × = 34

Описание

The SI2309CDS-T1-GE3 is a P-Channel 60V Power MOSFET with ±20V gate source voltage. It works on TrenchFET® power MOSFET technology.

• Halogen-free

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 1779264

Технические параметры

Полярность Транзистора
P Канал
Непрерывный Ток Стока
-1.6А
Напряжение Истока-стока Vds
-60В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.285Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
-10В
Пороговое Напряжение Vgs
-1В
Рассеиваемая Мощность
1.7Вт
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-23
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C

Дополнительная информация

Datasheet SI2309CDS-T1-GE3